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大芯超导有限公司元器件专业分销商BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子,绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5国产替代,AIKW50N65RF5国产替代,IKW50N65SS5国产替代),BGH50N65ZF1 (IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5国产替代),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5,IKW75N65SS5国产替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5国产替代),BGH40N120HF(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7国产替代)特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括:车载充电机(OBC)、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) ,基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管... [详细介绍]
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